芯导科技申请双向器件与双向器件的制备方法专利，提高了双向器件的耐压能力

金融界2024年6月28日消息，天眼查知识产权信息显示，上海芯导电子科技股份有限公司申请一项名为“双向GaNHEMT器件与双向GaNHEMT器件的制备方法“，公开号CN202410141423.9，申请日期为2024年1月。

专利摘要显示，本发明提供的一种双向GaNHEMT器件，包括：衬底、沟道层与势垒层；第一欧姆金属层、栅极结构与第二欧姆金属层，沿第一方向依次排列于沟道层的表面；其中，栅极结构与第一欧姆金属层之间的距离等于栅极结构与第二欧姆金属层之间的距离；栅极绝缘结构，嵌于栅极绝缘结构中的栅极场板，且其电性连接栅极结构，用于调节栅极结构下的纵向电场分布；第一金属场板，包覆于栅极绝缘结构的第一端，且第一金属场板与第二欧姆金属层电性连接；第二金属场板，包覆于栅极绝缘结构的第二端，且第二金属场板与第一欧姆金属层电性连接；第二端与第一端沿第一方向相对。本发明提供的技术方案，改善了双向GaNHEMT器件的电场分布情况，芯导科技申请双向器件与双向器件的制备方法专利，提高了双向器件的耐压能力提高了双向GaNHEMT器件的耐压能力。